Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories Dublin Core Títol Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories Autor Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon Matèria Physics and Astronomy Physical Sciences and Engineering Editor Springer Nature Data de publicació 2020 Identificador 9789811512124 Font https://doi.org/10.1007/978-981-15-1212-4 Etiquetes Physical Sciences and Engineering, Physics and Astronomy Col·lecció Physical Sciences and Engineering ← ítem anterior Ítem següent →
