Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Dublin Core Títol Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Autor D. Nirmal, J. Ajayan Matèria Physical Sciences and Engineering Editor Springer Nature Data de publicació 2025 Identificador 9789819775064 Font https://doi.org/10.1007/978-981-97-7506-4 Etiquetes Physical Sciences and Engineering Col·lecció Physical Sciences and Engineering ← ítem anterior Ítem següent →
