GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model Dublin Core Títol GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model Autor Yogesh Chauhan Matèria Physical Sciences and Engineering Editor Elsevier Data de publicació 2024 Identificador 9780323998710 Font https://www.sciencedirect.com/book/9780323998710 Etiquetes Physical Sciences and Engineering Col·lecció Physical Sciences and Engineering ← ítem anterior Ítem següent →
