Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Autor
D. Nirmal, J. Ajayan
Matèria
Editor
Springer Nature
Data publicació
2025
Identificador
9789819775064
Col·lecció
Accés
https://link.springer.com/openurl?genre=book&isbn=978-981-97-7506-4